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新品推介 | 宏微科技推出1700V IGBT產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于高壓變頻、SVG、儲能等領(lǐng)域

應(yīng)用場景介紹

級聯(lián)型H橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡單,擴(kuò)展靈活,目前已經(jīng)在高壓級聯(lián)型變頻器、靜止無功發(fā)生器SVG和級聯(lián)H橋型儲能系統(tǒng)中獲得了廣泛應(yīng)用。


工業(yè)應(yīng)用中,電機(jī)作為風(fēng)機(jī)、泵、壓縮機(jī)、皮帶機(jī)、破碎機(jī)等各種機(jī)械設(shè)備的驅(qū)動裝置,其耗電量巨大。采用級聯(lián)型變頻器與生產(chǎn)工藝相結(jié)合,可以顯著地降低電機(jī)能耗。


儲能系統(tǒng)中,高壓級聯(lián)技術(shù)通過多個儲能單元構(gòu)成一套大功率、大電流儲能系統(tǒng),省去變壓器環(huán)節(jié)直接接入電網(wǎng),因此具有較高的循環(huán)效率,減少土地占用,并且避免傳統(tǒng)方式下電池模組之間荷電狀態(tài)不均衡的問題,減小長時間運行后的有效容量衰減。


SVG主要應(yīng)用于提升電網(wǎng)的輸電容量及穩(wěn)定暫態(tài)電壓,也可實現(xiàn)輸配電網(wǎng)、風(fēng)電和光伏電站無功調(diào)壓,礦山、石化、煤礦、等行業(yè)的功率因數(shù)控制、母線電壓閃變抑制及補(bǔ)償不平衡負(fù)荷、濾除負(fù)荷諧波電流,達(dá)到提高電能質(zhì)量,節(jié)約用電的目的。
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針對以上兩種應(yīng)用,宏微科技推出75A-450A不同電流等級的半橋模塊和75A-150A的H橋一體化模塊。通過每相采用單個或兩個及以上半橋模塊并聯(lián),基本可以覆蓋3kV-10kV高壓變頻器的中小功率范圍和一部分大功率范圍、3kV-35kV級聯(lián)儲能系統(tǒng)的中等容量范圍、3kV-35kV SVG的中等容量范圍。同時針對小功率段的高壓變頻器,使用H橋一體化模塊,可以減少模塊使用數(shù)量,大幅削減鏈節(jié)體積,降低結(jié)構(gòu)成本。



半橋拓?fù)淠K


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以MMG450WB170B6TC半橋模塊為例

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產(chǎn)品特點

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參數(shù)對比

1、常高溫下FRD壓降更低,熱阻更??;IGBT壓降與競品接近,但熱阻更小,從而使得整體發(fā)熱更小。

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2、常高溫下,相同速度開關(guān)損耗更小,尖峰更低,寄生電感更小。

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3、150℃,VGE=15V,Vcc=1000V條件下短路能力≥10us。 

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  3. 4、通過HV-H3TRB和硫化等高可靠性試驗

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H橋一體化模塊

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以MMG100W170HX6TC一體化模塊為例

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產(chǎn)品特點

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應(yīng)用價值

以往高壓變頻器應(yīng)用為了搭建H橋拓?fù)?,需要?個“半橋的IGBT模塊”和1個“整流二極管模塊”來進(jìn)行組合構(gòu)建,總計使用3個功率模塊。
使用宏微MMG100W170HX6TC一體化模塊,只用1個模塊即可完成3個模塊的工作,同時還內(nèi)置了NTC熱敏電阻,以輔助我們在實際工作中進(jìn)行溫度監(jiān)控。

與原先方案對比,可實現(xiàn)的功能只多不少,而且1個一體化 IGBT模塊構(gòu)成高壓變頻器的1個單元,使系統(tǒng)級聯(lián)設(shè)計變得更容易。

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如果運行條件完全相同,使用一體化新產(chǎn)品可以大幅削減鏈節(jié)體積,從而縮小整機(jī)體積,降低結(jié)構(gòu)成本,優(yōu)化電氣特性。

總 結(jié)


宏微科技此次推出的1700V一系列產(chǎn)品,不僅在芯片性能上進(jìn)行了改進(jìn),還在封裝形式上進(jìn)行創(chuàng)新,有效地降低了功耗,提升了效率;還具有更出色的可靠性能力,HV-H3TRB、防硫化等使其在實際應(yīng)用中表現(xiàn)更加優(yōu)秀。


我們相信,1700V這一系列的IGBT模塊將為工控、變頻、電能改善等領(lǐng)域的應(yīng)用帶來更高的性能和可靠性,同時也將為行業(yè)發(fā)展帶來更多的創(chuàng)新和進(jìn)步。